N.º art.: 6368-2674776
N.º fabricante: IXTA12N65X2
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.3 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 12 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-263AA Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 180 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (17-Jan-2023)
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
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Discretos ,
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Semiconductores ,
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Transistors ,
IXYS SEMICONDUCTOR ,
IXTA12N65X2 ,
2674776 ,
267-4776
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