N.º art.: 6368-2646369
N.º fabricante: SI2356DS-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.042 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 4.3 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Disipación de Potencia 1.7 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
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Discretos ,
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Semiconductores ,
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VISHAY ,
SI2356DS-T1-GE3 ,
2646369 ,
264-6369
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