|  |
| |
| N.º art.:
6368-2317887 N.º fabricante:
NTE4153NT1G EAN/GTIN:
Sin datos |
| |
|
| | |
| Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 915 mA Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SC-89 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 300 mW Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.127 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 760 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
|
| | |
| | | |
| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, NTE4153NT1G, 2317887, 231-7887 |
| | |
| | Resumen de condiciones1 | | | | Plazo de entrega | Stock en almacén | Precio | | | | | | | | a partir de € 0,0587* | | | | Precio válido a partir de 1.500.000 unidades | | | | | | Pedidos sólo en múltiplos de 3.000 unidades | | | | | Ver más almacenes con otras condiciones | | | | | | | | Precios escalonados | | Cantidad de pedido | Neto | Bruto | Unidad | | a partir de 3000 unidades | | | | a partir de 6000 unidades | | | | a partir de 9000 unidades | | | | a partir de 15000 unidades | | | | a partir de 24000 unidades | | | | a partir de 30000 unidades | | | | a partir de 45000 unidades | | | | a partir de 1500000 unidades | | | |
|
| | |
|
|