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| N.º art.:
6368-2311209 N.º fabricante:
PMPB33XN,115 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.037 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 5.5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-1220 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 2.4 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 800 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, NEXPERIA, PMPB33XN,115, 2311209, 231-1209 |
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