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VISHAY SIA445EDJ-T1-GE3 MOSFET P-CH, 20V, SC-70


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N.º art.:
     6368-2283656
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIA445EDJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0135 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 12 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK SC-70 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 19 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 500 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SIA445EDJ-T1-GE3, 2283656, 228-3656
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