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ON SEMICONDUCTOR FDT86244 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.1 V Sustancia


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N.º art.:
     6368-2083344
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDT86244
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.106 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 2.8 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-223 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 150 V Disipación de Potencia 2.2 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.1 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (14-Jun-2023)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, mosfet de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ON SEMICONDUCTOR, FDT86244, 2083344, 208-3344
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