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ON SEMICONDUCTOR FDMA510PZ Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-1885768
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDMA510PZ
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.027 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 7.8 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor µFET Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 2.4 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 700 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, mosfet de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ON SEMICONDUCTOR, FDMA510PZ, 1885768, 188-5768
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