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Diodo, 1N5819, Rectificador Schottky, 1A, 40V Barrera Schottky, DO-41, 2-Pines 900mV


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-9209085
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     1N5819
EAN/GTIN:
     5059042352641
Términos de búsqueda:
Diodos
Diodo
Rectificadores
Rectificador
Rectificadores Schottky de potencia de caída baja STMicroelectronics 1N5817/8/9. Los Vishay 1N5817, 1N5818 y 1N5819 son una familia de diodos rectificadores Schottky 1A de caída baja. Están diseñados para fuentes de alimentación de modo conmutado y convertidores dc a dc de alta frecuencia. Características: Conmutación rápida Caída de tensión directa baja Pérdida de conducción pequeña Pérdida de conmutación muy baja ¿Dónde se utilizan? El 1N5817-1N5819 está diseñado para inversores de baja tensión y alta frecuencia, circulación libre, protección de polaridad y cargadores de batería pequeños. ¿Cuál es la temperatura de funcionamiento de la unión? -65 °C a +150 °C. Versiones disponibles: 1N5817 - 20V 1N5818 - 30V 1N5819 - 40V
Más información:
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Tipo de Encapsulado:
DO-41
Corriente Continua Máxima Directa:
1A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico:
40V
Configuración de diodo:
Simple
Tipo de Rectificador:
Rectificador Schottky
Tipo de Diodo:
Schottky
Conteo de Pines:
2
Caída de tensión directa máxima:
900mV
Número de Elementos por Chip:
1
Tecnología de diodo:
Barrera Schottky
Diámetro:
2.72mm
Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico:
25A
Otros conceptos de búsqueda: Diodo rectificador, Diodos rectificadores, Diodo Schottky, Diodos Schottky, Diodo de barrera Schottky, Diodos de barrera Schottky, diodo rectificador, 9209085, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Diodos Schottky y Rectificadores, STMicroelectronics, 1N5819
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