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MOSFET IXYS IXFH26N60P, VDSS 600 V, ID 26 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-9200760
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXFH26N60P
EAN/GTIN:
     5059041034180
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™. MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
26 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Serie:
HiperFET, Polar
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
270 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Disipación de Potencia Máxima:
460 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-30 V, +30 V
Longitud:
16.26mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 9200760, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IXYS, IXFH26N60P
Resumen de condiciones1
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Precio
a partir de € 155,61*
  
Precio válido a partir de 10 envases
1 envase contiene 30 unidades (a partir de € 5,187* por unidad)
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Neto
Bruto
Unidad
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€ 193,29*
€ 233,881
por envase
a partir de 5 envases
€ 182,07*
€ 220,305
por envase
a partir de 10 envases
€ 155,61*
€ 188,288
por envase
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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