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| N.º art.:
3318E-9194851 N.º fabricante:
IRFZ24NPBF EAN/GTIN:
5059043006635 |
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| MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema. Más información: | | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 17 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 55 V | Tipo de Encapsulado: | TO-220AB | Serie: | HEXFET | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 70 mΩ | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 4V | Tensión de umbral de puerta mínima: | 2V | Disipación de Potencia Máxima: | 45 W | Configuración de transistor: | Simple | Tensión Máxima Puerta-Fuente: | -20 V, +20 V | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +175 °C |
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