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MOSFET Vishay SI1416EDH-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3,9 A, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-9194264
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI1416EDH-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040653634
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
3,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-363
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
77 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.6V
Disipación de Potencia Máxima:
2,8 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
2.2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 9194264, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SI1416EDHT1GE3
Resumen de condiciones1
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Precio
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Neto
Bruto
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1 envase
€ 420,00*
€ 508,20
por envase
a partir de 2 envases
€ 378,00*
€ 457,38
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