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MOSFET onsemi FDS9431A, VDSS 20 V, ID 3,5 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-9175507
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDS9431A
EAN/GTIN:
     5059042011715
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor. La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida. Características y ventajas:. interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión Diseño de celdas de alta densidad corriente de saturación alta conmutación superior Gran rendimiento robusto y fiable Tecnología DMOS. Aplicaciones:. Conmutación De Carga Convertidor CC/CC Protección de la batería Control de administración de energía Control del motor de CC
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
3,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
20 V
Tipo de Encapsulado:
SOIC
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
130 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Disipación de Potencia Máxima:
2,5 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-8 V, +8 V
Longitud:
5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Si
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, mosfet de potencia, 9175507, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FDS9431A
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Accesorios
Placa Complementaria RE932-01, dos lados FR4 20.32 x 7.94 x 1.5mm
Roth Elektronik
RE932-01
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