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MOSFET STMicroelectronics STD10P6F6, VDSS 60 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-9172747
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STD10P6F6
EAN/GTIN:
     5059042333688
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics. Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Serie:
STripFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
160 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
30 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
6.6mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 9172747, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, STD10P6F6
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