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Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR, λ sensibilidad máx. 880nm, mont. superficial, encapsulado DIP de 2 pines


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-9128510
Fabricante:
     ams OSRAM
N.º fabricante:
     BPW 34 FAS-Z
EAN/GTIN:
     5059041020183
Términos de búsqueda:
Fotodiodos
Fotodiodo
Fotodiodi
Fotodiodo PIN con encapsulado DIL. Esta familia de fotodiodos de IR, de OSRAM Opto Semiconductors, pertenece a la serie BPW 34. Se suministran en encapsulados plásticos DIL de montaje en superficie (SMD) u orificio pasante con un área sensible a la radiación de 2,65 x 2,65 mm². Los fotodiodos de infrarrojos BPW 34 están diseñados para aplicaciones con un rango de longitud de onda de hasta 1.100 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas se incluyen: fotointerruptores, control remoto de infrarrojos y sensores para automoción, auriculares, etc.
Más información:
Espectro(s) Detectado(s):
Infrarrojo
Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico:
880nm
Encapsulado:
DIP
Función de amplificador:
No
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Número de Pines:
2
Material del Diodo:
Si
Mínima Longitud de Onda Detectada:
730nm
Máxima Longitud de Onda Detectada:
1100nm
Longitud:
4.5mm
Anchura:
4mm
Altura:
1.2mm
Fotosensibilidad de Pico:
0.65A/W
Polaridad:
Inverso
Otros conceptos de búsqueda: 9128510, Displays y Optoelectrónica, Optoacopladores y Fotodetectores, ams OSRAM, BPW34FASZ
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 444,00*
1 envase contiene 1.500 unidades (€ 0,296* por unidad)
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