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MOSFET STMicroelectronics STY145N65M5, VDSS 650 V, ID 138 A, Máx. 247 de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-8805474
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STY145N65M5
EAN/GTIN:
     5059042543100
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
138 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
650 V
Tipo de Encapsulado:
Máx. 247
Serie:
MDmesh
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
15 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
3V
Disipación de Potencia Máxima:
625 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-25 V, +25 V
Longitud:
15.9mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 8805474, Semiconductores, Semiconductores Discretos, STMicroelectronics, STY145N65M5
Resumen de condiciones1
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