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IGBT, FGH40T120SMD, N-Canal, 80 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines Simple


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-8648855
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FGH40T120SMD
EAN/GTIN:
     5059042649765
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Transistores
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±25V
Disipación de Potencia Máxima:
555 W
Tipo de Encapsulado:
TO-247
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Tipo de Canal:
N
Conteo de Pines:
3
Configuración de transistor:
Simple
Dimensiones:
15.87 x 4.82 x 20.82mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima:
-55 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor igbt, 8648855, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, onsemi, FGH40T120SMD
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 3,97*
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Accesorios
Los siguientes accesorios pueden encontrarse en nuestro surtido:
Tipo
Imagen
Artículo
Fabricante/N.º
Precio
Accesorios
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
a partir de € 17,573*
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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