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MOSFET onsemi FCB11N60TM, VDSS 600 V, ID 11 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-8644923
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FCB11N60TM
EAN/GTIN:
     5059042235548
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor. Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad. Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Serie:
SuperFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
380 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
3V
Disipación de Potencia Máxima:
125 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-30 V, +30 V
Longitud:
10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 8644923, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FCB11N60TM
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Epcos
B82801B0205A100
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