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MOSFET Infineon IRF7104TRPBF, VDSS 20 V, ID 2,3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-8312869
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IRF7104TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043020273
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
MOSFET de potencia de canal P, de 12 V a 20 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
2,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
20 V
Tipo de Encapsulado:
SOIC
Serie:
HEXFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
400 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
3V
Tensión de umbral de puerta mínima:
1V
Disipación de Potencia Máxima:
2 W
Configuración de transistor:
Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-12 V, +12 V
Longitud:
5mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, mosfet de potencia, 8312869, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IRF7104TRPBF
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Accesorios
3M 208-7391-55-1902 ZàCALO, SOIC, ZIF, 8 VÖAS
3M
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