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MOSFET DiodesZetex DMN2014LHAB-7, VDSS 20 V, ID 9,3 A, U-DFN2030 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-8270462
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMN2014LHAB-7
EAN/GTIN:
     5059043395494
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
9,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
20 V
Tipo de Encapsulado:
U-DFN2030
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
28 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
1.1V
Disipación de Potencia Máxima:
1,7 W
Configuración de transistor:
Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-12 V, +12 V
Longitud:
3.05mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
2
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 8270462, Semiconductores, Semiconductores Discretos, DiodesZetex, DMN2014LHAB7
Resumen de condiciones1
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