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MOSFET Infineon 2N7002DWH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado


Cantidad:  unidades  
Información de productos:
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N.º art.:
     3318E-8270002
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     2N7002DWH6327XTSA1
EAN/GTIN:
     5059043509426
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de potencia doble Infineon OptiMOS™
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-363
Serie:
OptiMOS™
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
4 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima:
1.5V
Disipación de Potencia Máxima:
500 mW
Configuración de transistor:
Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
2mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 8270002, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, 2N7002DWH6327XTSA1
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