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MOSFET Infineon BSP324H6327XTSA1, VDSS 400 V, ID 170 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-8269257
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     BSP324H6327XTSA1
EAN/GTIN:
     5059043017495
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
170 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
400 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-223
Serie:
SIPMOS
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
25 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.3V
Tensión de umbral de puerta mínima:
1.3V
Disipación de Potencia Máxima:
1,8 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
6.5mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 8269257, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, BSP324H6327XTSA1
Resumen de condiciones1
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