| |
|
| N.º art.: 3318E-8234526 N.º fabricante: SST39SF040-70-4I-NHE EAN/GTIN: 5059040165113 |
| |
|
| | |
| Memoria SuperFlash® en paralelo SST39SF010A/020A/040. Los dispositivos de la gama SST39SF010A/020A/040 de Microchip son CI de memoria en paralelo SuperFlash® para múltiples usos. Características. Operaciones de lectura y escritura de 4,5-5,5 V Duración: 100.000 ciclos (típico) Bajo consumo de potencia: corriente activa de 10 mA, corriente en standby de 30 μA (valores típicos a 14 MHz) Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 Kbytes Tiempo de acceso de lectura: 55 a 70 ns Tiempo de borrado de sector: 18 ms Tiempo de borrado de chip: 70 ms (típico) Tiempo de programas de bytes: 14 μs (típico) Tiempo de reescritura de chip: SST39SF010A de 2 segundos, SST39SF020A de 4 segundos, SST39SF040 de 8 segundos (valores típicos) Datos y direcciones con bloqueo Temporización de escritura automática: generación interna de VPP Detección de fin de escritura, bit basculador, sondeo de datos Compatibilidad con E/S TTL JEDEC estándar - conjuntos de comandos y configuraciones de pines Flash EEPROM Más información: | | Tamaño de la Memoria: | 4MB | Tipo de Interfaz: | Paralelo | Tipo de Encapsulado: | PLCC | Conteo de Pines: | 32 | Organización: | 512K x 8 bits | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Tipo de Célula: | Doble puerta | Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: | 4,5 V | Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: | 5,5 V | Organización de Bloques: | Simétrico | Longitud: | 14.05mm | Altura: | 2.84mm | Ancho: | 11.51mm | Dimensiones: | 14.05 x 11.51 x 2.84mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +85 °C |
|
| | |
| | | |
| Otros conceptos de búsqueda: memoria eeprom, 8234526, Semiconductores, Chips de Memoria, Memorias Flash, Microchip, SST39SF040704INHE |
| | |
| |