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MOSFET Vishay SIA416DJ-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 11,3 A, PowerPAK SC-70 de 6 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-8181441
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIA416DJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040646681
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
11,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
PowerPAK SC-70
Serie:
ThunderFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
130 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
1.6V
Disipación de Potencia Máxima:
19 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
2.15mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 8181441, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIA416DJT1GE3
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
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Precio
a partir de € 7,44*
  
Precio válido a partir de 100 envases
1 envase contiene 20 unidades (a partir de € 0,372* por unidad)
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Neto
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por envase
a partir de 50 envases
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por envase
a partir de 100 envases
€ 7,44*
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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