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MOSFET Vishay SI8489EDB-T2-E1, VDSS 20 V, ID 4,3 A, MICRO FOOT de 4 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-8181438
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI8489EDB-T2-E1
EAN/GTIN:
     5059040746343
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
4,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
20 V
Tipo de Encapsulado:
MICRO FOOT
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
82 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.5V
Disipación de Potencia Máxima:
1,8 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-12 V, +12 V
Longitud:
1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 8181438, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SI8489EDBT2E1
Resumen de condiciones1
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