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MOSFET Vishay SI5935CDC-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 3,8 A, 1206 ChipFET de 8 pines, 2elementos, config. Aislado


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-8181352
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI5935CDC-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040741263
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
3,8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
20 V
Tipo de Encapsulado:
1206 ChipFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
156 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.4V
Disipación de Potencia Máxima:
3,1 W
Configuración de transistor:
Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-8 V, +8 V
Longitud:
3.1mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
2
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 8181352, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SI5935CDCT1GE3
Resumen de condiciones1
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