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MOSFET Vishay SIA449DJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 10,4 A, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-8141213
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIA449DJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040742420
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
10,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-363
Serie:
TrenchFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
38 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.6V
Disipación de Potencia Máxima:
19 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-12 V, +12 V
Longitud:
2.15mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 8141213, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIA449DJT1GE3
Resumen de condiciones1
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