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MOSFET Vishay SI2337DS-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 1,75 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-8123123
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI2337DS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040793774
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
1,75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
80 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
303 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
2,5 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
3.04mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 8123123, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SI2337DST1GE3
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