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| N.º art.:
3318E-8120187 N.º fabricante:
TPD2EUSB30ADRTR EAN/GTIN:
5059042328417 |
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| Protección contra descargas electrostáticas (ESD), Texas Instruments. Protección ESD integrada. Protección contra sobretensión (OVP) Protección contra sobrecorriente (OCP) Conmutador de límite de carga de corriente Registro de desplazamiento controlado por tensión Protección contra EMI. Diodos TVS de alto rendimiento. Baja capacitancia Corriente de fugas baja Encapsulados ultra pequeños Alta tensión Alta protección IEC. Interfaz (TPD4EUSB30DQAR) USB 3.0 superrápida (6 Gbps) con protección contra transitorios y ESD de 4 canales Más información: | | Configuración de diodo: | Matriz compleja | Tipo de Dirección: | Unidireccional | Tensión Residual Máxima: | 8V | Tensión Mínima de Ruptura: | 7V | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Tipo de Encapsulado: | SOT-9X3 | Tensión de Corte Inversa Máxima: | 5.5V | Conteo de Pines: | 3 | Disipación de Potencia de Pulso de Pico: | 45W | Corriente de Pulsos de Pico Máxima: | 5A | Protección ESD: | Sí | Número de Elementos por Chip: | 2 | Temperatura de Funcionamiento Mínima: | -40 °C | Dimensiones: | 1.05 x 0.85 x 0.45mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +85 °C |
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| Otros conceptos de búsqueda: 8120187, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Diodos TVS, Texas Instruments, TPD2EUSB30ADRTR |
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