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| N.º art.:
3318E-8120171 N.º fabricante:
TPD2E001DZDR EAN/GTIN:
5059042307535 |
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| Protección contra descargas electrostáticas (ESD), Texas Instruments. Protección ESD integrada. Protección contra sobretensión (OVP) Protección contra sobrecorriente (OCP) Conmutador de límite de carga de corriente Registro de desplazamiento controlado por tensión Protección contra EMI. Diodos TVS de alto rendimiento. Baja capacitancia Corriente de fugas baja Encapsulados ultra pequeños Alta tensión Alta protección IEC. Interfaz (TPD4EUSB30DQAR) USB 3.0 superrápida (6 Gbps) con protección contra transitorios y ESD de 4 canales Más información: | | Configuración de diodo: | Matriz compleja | Tipo de Dirección: | Unidireccional | Tensión Residual Máxima: | 100V | Tensión Mínima de Ruptura: | 11V | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Tipo de Encapsulado: | SOP | Conteo de Pines: | 4 | Protección ESD: | Sí | Número de Elementos por Chip: | 2 | Temperatura de Funcionamiento Mínima: | -40 °C | Dimensiones: | 3.04 x 1.4 x 1.07mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +85 °C | Altura: | 1.07mm | Longitud: | 3.04mm | Corriente de Fugas Inversa Máxima: | 1nA |
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| Otros conceptos de búsqueda: Diodo supresor, Diodos supresores, Diodos TVS, Diodos supresores de transitorios de tensión, Diodo supresor de transitorios de tensión, diodo supresor, 8120171, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Texas Instruments, TPD2E001DZDR |
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