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| N.º art.:
3318E-8115214 N.º fabricante:
IS62WV51216BLL-55BLI EAN/GTIN:
5059045446965 |
| | Términos de búsqueda: SRAM |
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| RAM estática, ISSI. Los productos ISSI Static RAM emplean tecnología CMOS de alto rendimiento. Una amplia gama de RAM estáticas que incluyen la SRAM asíncrona de alta velocidad de 5 V, SRAM asíncrona de baja potencia y alta velocidad, SRAM asíncrona de baja potencia de 5 V, RAM estática CMOS de ultra baja potencia y SRAM asíncrona de baja potencia PowerSaver ;sup>TM ;/sup>. Los dispositivos ISSI SRAM vienen en una variedad de tensiones, tamaños de memoria y organizaciones diferentes. Son adecuados en aplicaciones como memoria caché de CPU, procesadores integrados, disco duro e interruptores de dispositivos electrónicos industriales.. Fuente de alimentación: 1,8 V/3,3 V/5 V Encapsulados disponibles: BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP Opción de configuración disponible: x8 y x16 Función ECC disponible para SRAM asíncrona de alta velocidad Más información: | | Tamaño de la Memoria: | 8Mbit | Organización: | 512 k x 16 bits | Número de Palabras: | 512k | Número de Bits de Palabra: | 16bit | Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo: | 55ns | Ancho del Bus de Direcciones: | 19bit | Baja Potencia: | Sí | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Tipo de Encapsulado: | BGA | Conteo de Pines: | 48 | Dimensiones: | 8.8 x 7.3 x 0.9mm | Altura: | 0.9mm | Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: | 3,6 V | Longitud: | 8.8mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +85 °C |
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| Otros conceptos de búsqueda: 8115214, Semiconductores, Chips de Memoria, Memorias SRAM, ISSI, IS62WV51216BLL55BLI |
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