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| N.º art.:
3318E-8115197 N.º fabricante:
IS61WV6416DBLL-10TLI EAN/GTIN:
5059045531753 |
| | Términos de búsqueda: SRAM |
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| RAM estática, ISSI. Los productos ISSI Static RAM emplean tecnología CMOS de alto rendimiento. Una amplia gama de RAM estáticas que incluyen la SRAM asíncrona de alta velocidad de 5 V, SRAM asíncrona de baja potencia y alta velocidad, SRAM asíncrona de baja potencia de 5 V, RAM estática CMOS de ultra baja potencia y SRAM asíncrona de baja potencia PowerSaver ;sup>TM ;/sup>. Los dispositivos ISSI SRAM vienen en una variedad de tensiones, tamaños de memoria y organizaciones diferentes. Son adecuados en aplicaciones como memoria caché de CPU, procesadores integrados, disco duro e interruptores de dispositivos electrónicos industriales.. Fuente de alimentación: 1,8 V/3,3 V/5 V Encapsulados disponibles: BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP Opción de configuración disponible: x8 y x16 Función ECC disponible para SRAM asíncrona de alta velocidad Más información: | | Tamaño de la Memoria: | 1Mbit | Organización: | 64k x 16 bits | Número de Palabras: | 64k | Número de Bits de Palabra: | 16bit | Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo: | 10ns | Ancho del Bus de Direcciones: | 16bit | Baja Potencia: | Sí | Tipo de Temporizador: | Asíncrono | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Tipo de Encapsulado: | TSOP | Conteo de Pines: | 44 | Dimensiones: | 18.54 x 10.29 x 1.05mm | Altura: | 1.05mm | Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: | 3,6 V | Longitud: | 18.54mm |
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| Otros conceptos de búsqueda: 8115197, Semiconductores, Chips de Memoria, Memorias SRAM, ISSI, IS61WV6416DBLL10TLI |
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