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MOSFET onsemi BS270, VDSS 60 V, ID 400 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-8075184
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     BS270
EAN/GTIN:
     5059042494662
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
TO-92
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
3,5 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
1V
Disipación de Potencia Máxima:
625 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
4.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, transistor de efecto de campo, 8075184, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, BS270
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