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MOSFET onsemi FDS8958B, VDSS 30 V, ID 4,5 A, 6,4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-8063674
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDS8958B
EAN/GTIN:
     5059042078794
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N/P doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc. Los MOSFET PowerTrench®, emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de la generación anterior. El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
Más información:
Tipo de Canal:
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
4,5 A, 6,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
SOIC
Serie:
PowerTrench
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
39 mΩ, 80 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
1V
Disipación de Potencia Máxima:
1,6 W, 2 W
Configuración de transistor:
Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-25 V, -20 V, +20 V, +25 V
Longitud:
4.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 8063674, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FDS8958B
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