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IGBT, IXA60IF1200NA, N-Canal, 88 A, 1.200 V, SOT-227B, 4-Pines Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-8047612
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXA60IF1200NA
EAN/GTIN:
     5059041485210
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Transistor SMD
IGBT discretos, serie XPT, IXYS. La gama XPT™ de IGBT de IXYS ofrece tecnología de oblea fina de perforación extremadamente ligera, lo que proporciona resistencia térmica reducida y bajas pérdidas de energía. Estos dispositivos ofrecen tiempos de conmutación rápidos con baja corriente de cola y están disponibles en una gran variedad de encapsulados exclusivos y estándar del sector. Alta densidad de potencia y bajo VCE (sat) Áreas de operación segura en polarización inversa (RBSOA) hasta la tensión nominal de ruptura Capacidad de cortocircuito de 10 usec Coeficiente de temperatura de tensión de encendido positiva Diodos Sonic-FRD™ o HiPerFRED™ empaquetados conjuntamente opcionales Encapsulados de alta tensión exclusivos y de estándar internacional
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
88 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
290 W
Tipo de Encapsulado:
SOT-227B
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Tipo de Canal:
N
Conteo de Pines:
4
Configuración de transistor:
Simple
Dimensiones:
38.23 x 25.25 x 9.6mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+125 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima:
-40 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 8047612, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, IXYS, IXA60IF1200NA
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Accesorios
Los siguientes accesorios pueden encontrarse en nuestro surtido:
Tipo
Imagen
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Fabricante/N.º
Precio
Accesorios
Convertidor dc-dc 3W, Salida 5V dc, 120mA, 0.1
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
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