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Transistor Darlington, MJD112G, NPN 2 A, 100 V, HFE:1000, DPAK (TO-252), 3 pines Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-7905319
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     MJD112G
EAN/GTIN:
     5059042518108
Términos de búsqueda:
Transistor Darlington
Transistores Darlington
Transistor SMD
Transistores SMD
Los números de referencia del fabricante con prefijo S o NSV están indicados para aplicaciones de automoción conforme al estándar AEC-Q101. Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Más información:
Tipo de Transistor:
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector:
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base:
5 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Configuración de transistor:
Simple
Número de Elementos por Chip:
1
Ganancia Mínima de Corriente DC:
1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor:
4 V
Tensión Base Máxima del Colector:
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor:
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector:
20µA
Dimensiones:
6.73 x 6.22 x 2.38mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, transistor smd, 7905319, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Pares Darlington, onsemi, MJD112G
Resumen de condiciones1
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