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MOSFET Vishay SI1032R-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 200 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-7879024
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI1032R-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040673823
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
20 V
Tipo de Encapsulado:
SC-75
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
9 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.4V
Disipación de Potencia Máxima:
280 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-6 V, +6 V
Longitud:
1.68mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 7879024, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SI1032RT1GE3
Resumen de condiciones1
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