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MOSFET onsemi FCP190N60E, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-7729102
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FCP190N60E
EAN/GTIN:
     5059042221534
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor. Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad. Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220
Serie:
SuperFET II
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
190 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
2.5V
Disipación de Potencia Máxima:
208 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-30 V, +30 V
Longitud:
10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 7729102, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FCP190N60E
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 3,062*
1 envase contiene 2 unidades (€ 1,531* por unidad)
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Tipo
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Fabricante/N.º
Precio
Accesorios
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