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MOSFET onsemi SI4532DY, VDSS 30 V, ID 3,5 A, 3,9 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-7728938
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     SI4532DY
EAN/GTIN:
     5059042790955
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de densidad muy alta se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Más información:
Tipo de Canal:
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
3,5 A, 3,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
SOIC
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
95 mΩ, 190 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
1V
Disipación de Potencia Máxima:
2 W
Configuración de transistor:
Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
2
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, transistor de efecto de campo, 7728938, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, SI4532DY
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