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MOSFET onsemi RFD14N05SM9A, VDSS 50 V, ID 14 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-7613987
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     RFD14N05SM9A
EAN/GTIN:
     5059042952957
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
14 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
50 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
100 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
48 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, transistor de efecto de campo, 7613987, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, RFD14N05SM9A
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Accesorios
Los siguientes accesorios pueden encontrarse en nuestro surtido:
Tipo
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Precio
Accesorios
Disipador Fischer Elektronik Plateado, 25K/W, dim. 23 x 13 x 10mm
Fischer Elektronik
FK 244 13 D PAK
a partir de € 0,73*
Accesorios
Transformador de corriente EPCOS B828, entrada 20A, ratio: 20:1, dim. 8,13 x 7,11 x 5,08 mm
Epcos
B82801B0205A100
a partir de € 4,377*
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