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Módulo IGBT, FF900R12IE4BOSA1, N-Canal, 900 MHZ, 1.200 V, PrimePACK2, 10-Pines Serie


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-7613341
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FF900R12IE4
EAN/GTIN:
     5059043982502
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Módulo IGBT, Infineon. La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz. Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP ;sup>TM ;/sup> y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.. Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACK ;sup>TM ;/sup>2/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>3/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>4
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
900 MHZ
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
510 kW
Configuración:
Serie
Tipo de Encapsulado:
PrimePACK2
Tipo de Montaje:
Montaje roscado
Tipo de Canal:
N
Conteo de Pines:
10
Configuración de transistor:
Serie
Dimensiones:
172 x 89 x 38mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima:
-40 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, transistor de potencia, 7613341, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FF900R12IE4
Resumen de condiciones1
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