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Módulo IGBT, FP40R12KE3BOSA1, N-Canal, 55 A, 1.200 V, EconoPIM2, 24-Pines Trifásico


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-7528316
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     FP40R12KE3
EAN/GTIN:
     5060214379243
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Módulo IGBT, Infineon. La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz. Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP ;sup>TM ;/sup> y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.. Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACK ;sup>TM ;/sup>2/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>3/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>4
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
55 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Disipación de Potencia Máxima:
210 W
Configuración:
Puente trifásico
Tipo de Encapsulado:
EconoPIM2
Tipo de Montaje:
Montaje en PCB
Tipo de Canal:
N
Conteo de Pines:
24
Configuración de transistor:
Trifásico
Dimensiones:
107.5 x 45 x 17mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima:
-40 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores, Transistor, transistor de potencia, 7528316, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, FP40R12KE3
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