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MOSFET Vishay SI2301CDS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-7103238
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI2301CDS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040974760
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
2,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
20 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
112 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.4V
Disipación de Potencia Máxima:
860 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-8 V, +8 V
Longitud:
3.04mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 7103238, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SI2301CDST1GE3
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