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MOSFET Infineon IRF1018EPBF, VDSS 60 V, ID 79 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-6886800
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IRF1018EPBF
EAN/GTIN:
     5059043016016
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon. MOSFET para control del motor. Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor. MOSFET de rectificador síncrono. Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
79 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220AB
Serie:
HEXFET
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
8 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
110 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
10.67mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, mosfet de potencia, 6886800, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IRF1018EPBF
Resumen de condiciones1
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€ 3,16*
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Imagen
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Fabricante/N.º
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