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MOSFET onsemi FDP33N25, VDSS 250 V, ID 33 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-6714819
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDP33N25
EAN/GTIN:
     5059042845075
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor. El MOSFET UniFET™ forma parte de la familia MOSFET de alta tensión de Fairchild Semiconductor. Dispone de la resistencia en funcionamiento más pequeña de los MOSFET planar, y también proporciona un rendimiento de conmutación excelente y una mayor resistencia a la energía de avalanchas. Además, el diodo ESD de fuente de compuerta interna permite al MOSFET UniFET-II™ soportar una tensión HBM de más de 2.000 V. Los MOSFET UniFET™ son adecuados para aplicaciones de convertidor de alimentación conmutada, como la corrección del factor de potencia (PFC), display de pantalla plana (FPD), alimentación de televisores, ATX (Tecnología avanzada extendida) y balastos de lámparas electrónicos.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
250 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220AB
Serie:
UniFET
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
94 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
3V
Disipación de Potencia Máxima:
235000 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-30 V, +30 V
Longitud:
10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 6714819, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FDP33N25
Resumen de condiciones1
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Tipo
Imagen
Artículo
Fabricante/N.º
Precio
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