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MOSFET Vishay IRF640SPBF, VDSS 200 V, ID 18 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-5412464
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     IRF640SPBF
EAN/GTIN:
     5059040676442
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
200 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
180 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
130 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 5412464, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, IRF640SPBF
Resumen de condiciones1
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Tipo
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Fabricante/N.º
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