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MOSFET Infineon IRF640NPBF, VDSS 200 V, ID 18 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-5410014
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IRF640NPBF
EAN/GTIN:
     5059043899558
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
200 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220AB
Serie:
HEXFET
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
150 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
150 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores de potencia, MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, transistor de efecto de campo, 5410014, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IRF640NPBF
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Accesorios
Los siguientes accesorios pueden encontrarse en nuestro surtido:
Tipo
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Precio
Accesorios
Alfombrilla de interfaz térmica Bergquist de 1.1W/m·K, dim. 19.05 x 12.7mm x 0.152mm, -60 → +180 °C
Bergquist
SPK6-0.006-00-54
a partir de € 3,24*
Accesorios
Disipador Fischer Elektronik Negro, 5K/W, dim. 37.5 x 52.3 x 28mm
Fischer Elektronik
SK 487/37,5 SA
a partir de € 2,21*
Accesorios
Soldador eléctrico RS PRO KD-40, 230V, 40W, Conector Británico
RS Pro
7719477
€ 24,47*
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