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MOSFET Infineon IRF3205PBF, VDSS 55 V, ID 110 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-5409783
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IRF3205PBF
EAN/GTIN:
     5059043942711
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
55 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220AB
Serie:
HEXFET
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
8 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
200 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
10.54mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistores de potencia, MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, transistor de efecto de campo, 5409783, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IRF3205PBF
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Accesorios
Los siguientes accesorios pueden encontrarse en nuestro surtido:
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Accesorios
Soldador eléctrico RS PRO KD-40, 230V, 40W, Conector Británico
RS Pro
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