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Módulo IGBT, SKM200GB125D, N-Canal, 200 A, 1.200 V, SEMITRANS3, 3-Pines Serie


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-4682454
Fabricante:
     Semikron
N.º fabricante:
     SKM200GB125D
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Módulos IGBT dobles. Una gama de módulos IGBT SEMITOP® de Semikron que incorpora dos dispositivos IGBT conectados en serie (medio puente). Los módulos están disponibles en una amplia gama de tensiones y corrientes nominales y son adecuados para una gran variedad de aplicaciones de conmutación de potencia como variadores de velocidad de motores de inversor ac y fuentes de alimentación ininterrumpida. Encapsulado SEMITOP® compacto Adecuado para frecuencias de conmutación de hasta 12 kHz Placa base de cobre aislado mediante tecnología de cobre de unión directa
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
200 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20V
Configuración:
Medio puente doble
Tipo de Encapsulado:
SEMITRANS3
Tipo de Montaje:
Montaje en panel
Tipo de Canal:
N
Conteo de Pines:
3
Configuración de transistor:
Serie
Dimensiones:
106.4 x 61.4 x 30.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima:
-40 °C
Ancho:
61.4mm
Otros conceptos de búsqueda: transistor de potencia, 4682454, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Semikron, SKM200GB125D
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