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MOSFET ON Semiconductor BSS84LT1G, VDSS 50 V, ID 130 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-463329
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     BSS84LT1G
EAN/GTIN:
     5059042517873
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
130 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
50 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
10 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
225 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 463329, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, BSS84LT1G
Resumen de condiciones1
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