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MOSFET ON Semiconductor NTD2955T4G, VDSS 60 V, ID 12 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-463038
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NTD2955T4G
EAN/GTIN:
     5059042520262
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
180 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Disipación de Potencia Máxima:
55 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
6.73mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 463038, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, NTD2955T4G
Resumen de condiciones1
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